DDR爱好者之家 Design By 杰米

原神中的另一条管道任务攻略,是许多玩家在游戏中追求的目标。在这篇文章中,我们将为您提供一些实用的攻略和技巧,帮助您更快地完成任务,提升游戏体验。无论您是新手还是老玩家,都可以从中获得收益。快跟随我们的脚步,一起征服另一条管道任务吧!

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

枫丹-我们的目标在另一条管道

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

我们将先传送到锚点,然后沿着路线来到下图所示位置。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

你可以在这里遇到艾古伊,和他交谈后,就可以接受任务“我们的目标在另一条管道”。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

任务1:前往水上丘丘人营地寻找巴朗

在与艾古伊对话后,我们了解到了事情的过程,现在我们需要赶往丘丘人的水上营地去救援巴朗。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

任务2:解救巴朗

来到丘丘人的水上营地后,我们快速将这里的丘丘人全部清理掉

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

清理完丘丘人后,我们将关在牢笼里的巴朗放出来即可(同时,我们获得一个精致的宝箱)

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

任务3:与巴朗对话

在解开牢笼之后,当我们接近巴朗时,会自动触发剧情。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

任务4:返回码头向艾古伊回报

剧情过后,巴朗感到非常疲劳,因此我们赶紧护送他一起回到码头。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

我们回到码头这一侧,走到棚子下面就能找到艾古伊。和他对话即可。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

这代表不听长者的忠告,导致损失即将到来。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

后续的玩法教学

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

任务5:检修梅洛彼得堡附近的水下管道

经过剧情发展,我们接受了巴朗的委托,需要帮忙检修梅洛彼得堡附近的四个水下管道。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

第一处水下管道

我们到了第一处水下管道,先使用异色猎刀鳐的能力,然后切断缠住手轮的原海海草。然后拾取手轮并将其重新安装到管道上。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

安装完手轮后,只需旋转2次就可以完成检修。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

第二处水下管道

在到达第二个水下管道后,我们可以直接通过并将手轮转动一次,这样就完成了检修。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

第三处水下管道

在到达第三个水下管道后,我们首先要获得旁边异色水母的能力。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

请长按使用异色水母能力,将隆隆帽子炸弹扔到其中一个“红恶棍”的旁边。接着我们移动到另一个“红恶棍”旁边,并使用异海源水(即普通攻击)攻击它。同时,引爆之前放置的隆隆帽子炸弹,让两个“红恶棍”一起被消灭。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

在消灭掉此处的「红恶棍」之后,我们需要前往上方并将手轮转动1次,然后前往下方并将手轮转动3次,这样就能完成检修任务了。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

玩法教学

红恶棍与小小恶棍

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

第四处水下管道

在到达第四处水下管道后,我们应该先解决这里的两个发条机关。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

在解决发条机关后,我们可以前往该位置并将上面的手轮旋转1次,下面的手轮旋转2次来完成检修。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

任务6:向巴朗回报

我们检修完梅洛彼得堡附近的四处水下管道后,就回到了码头,向巴朗汇报情况。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

完成剧情之后,任务「我们的目标在另一条管道」也随之结束。

枫丹任务攻略,我们的目标在另一条管道

以上是我们的目标在另一条管道的具体内容,希望这篇文章能帮助到大家,更多攻略请关注王者荣耀原神社区。

【编辑:王者荣耀】
DDR爱好者之家 Design By 杰米
广告合作:本站广告合作请联系QQ:858582 申请时备注:广告合作(否则不回)
免责声明:本站资源来自互联网收集,仅供用于学习和交流,请遵循相关法律法规,本站一切资源不代表本站立场,如有侵权、后门、不妥请联系本站删除!
DDR爱好者之家 Design By 杰米

RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。