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硬件测试工程师必知知识(硬件测试工程师是干啥的)

SMTA工作坊—— PCBA失效分析方法

时间:2017.8.28(展前)

地点:深圳会展中心 5F 玫瑰厅-2

课程背景

电子信息时代,当我们持续不断地改进电子产品的功能及应用范围以满足人们生活高需求时,产品的设计也变得越来越复杂:高密度集成PCB(HDI)越来越普遍,元器件引脚间距越来越小、排布也越来越密集等等。这些因素要求生产厂商必须拥有先进的生产设备与工艺技术、高质量的生产环境与物料。在先进设备引进与先进工艺开发过程中,我们无法避免地会遇到大量的PCBA失效问题,这就需要系统的失效分析理论来分析解决问题。在电子产品中,失效是指不能执行或提供其预期功能或输出的设备或系统的一种状态。客户端产品出现的失效将会对制造方产生极度不好的影响,这些影响包括客户对产品的不满意或者资产损失甚至生命危险等更为严重的安全性问题。因此,找出产品的失效原因是十分重要的,失效原因分析将帮助我们去解决问题并防止它再次发生。

课程摘要和收获

在本次课程中,我们将利用先进、专业、高效的分析技术与十多年的实战经验,结合先进工艺技术理论与经验,通过对实际案例进行剖析,并对有关PCBA的失效分析理论系统地进行深入的探讨。如断口分析、微观结构与成分分析、切片金相分析,化学腐蚀、电化学迁移(ECM)和微形变分析等。相关的内容包括怎样去开展你的失效分析,可以应用到的一些方法,怎样去帮助我们找到失效的根源,什么时候去使用这些技巧以及一些我们曾经成功的失效分析案例。

目标群体

从事失效分析的人员: 失效分析工程师,工艺工程师,质量工程师,可靠性工程师,设计人员和相关的管理层人员等。

本课程将会覆盖到以下内容

I.PCBA失效分析概述

1.概述

2.术语与标准

3.失效分析原理

4.失效分析的基本程序

5.典型失效模式

II.典型的PCBA失效分析方法概述

1.X-Ray检测技术

2.金相切片分析技术

3.染色试验技术

4.扫描电镜分析技术

5.能谱分析方法

6.红外显微镜分析技术

7.离子色谱分析技术

8.应力测量分析技术

9.其它分析方法

III.失效分析技术的应用及其案例分析

1.物料缺陷相关的失效分析案例

1.1PCB相关的缺陷

1.2典型的焊接工艺缺陷案例分析

1.3元器件相关的缺陷

1.4腐蚀案例分析

1.5表面处理和焊点完整性

2.生产工艺缺陷失效案例

2.1回流焊相关缺陷

2.2波峰焊相关缺陷

2.3返工相关缺陷

3.离子污染物残留相关失效案例

3.1元器件分析

3.2组装中使用的化学品分析

3.3电化学迁移的枝状晶体失效案例

4.机械应力相关的失效案例

4.1回流焊工艺引起的失效

4.2电测引起的失效

4.3机械组装的相关失效

4.4运输引起的相关失效

5.其它失效分析方法的应用

5.1ACF导电胶膜固化率分析

5.2表面污染物分析

5.3阻燃剂中磷元素的分析

5.4陶瓷电容器切片分析中的黄染料技术

教师简介

周辉

西北工业大学硕士

暨南大学工程管理硕士校外实践导师

iNEMI亚洲执行委员会委员

美国SMTA协会会员

广东电子学会SMT专委会专家

现任伟创力公司 亚洲区先进制造工程部总监/北中国区先进工程部总监/亚洲区先进工程部实验室总监

从事新工艺技术的开发、新产品工艺开发及可制造性/可装配性设计优化、DFX等方面的研究。有18年电子产品工艺开发、制造及质量控制经验,曾在国际期刊上发表过20多篇技术论文, 内容涉及01005、 TMV PoP、0.3mm CSP等新工艺技术开发,HiP, NWO, Hot-bar等典型缺陷的解决方案以及公差累积分析与六西格玛等方法论的实际应用等等。

会议安排

时间:2017.8.28(星期一)

地点:深圳会展中心 5F玫瑰厅-2

(点击查看大图)

主办单位

支持单位

收费: RMB 1,250元 (提供发票/中国SMTA技术工作坊证书/课程资料)

注:

1. 不提供午餐和住宿

2. 报名及收款截止日期:8月7日

3. 在7月31日前报名及付款减免50元(RMB 1,200元)

4. 具体活动议程以当天通知为准,解释权归主办单位所有。

详细信息请联系:

Peggy Chen

电邮:peggychen@smta.org.cn

电话:+86-21-56093010

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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。