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先来看看什么是书签查找:

    当优化器所选择的非聚簇索引只包含查询请求的一部分字段时,就需要一个查找(lookup)来检索其他字段来满足请求。对一个有聚簇索引的表来说是一个键查找(key lookup),对一个堆表来说是一个RID查找(RID lookup)。这种查找即是——书签查找。

   书签查找根据索引的行定位器从表中读取数据。因此,除了索引页面的逻辑读取外,还需要数据页面的逻辑读取。

从索引的行定位器到从表中读取数据这之间会产生一些额外的开销,本文就来解决这个开销。

先看下我的测试表结构:
SQL 查询性能优化 解决书签查找
其中可以看出 有一个 聚簇索引 PK_UserID 和一个 非聚簇索引IX_UserName。

看看产生书签 查找的效果:

select UserName,Gender from dbo.UserInfo where UserName='userN600'

按上面的 SQL 产生执行计划 可以看出, 会产生一个书签查找(Key Lookup),如下图

SQL 查询性能优化 解决书签查找

如果把上面的 SQL 改写成

select UserName from dbo.UserInfo where UserName='userN600'

SQL 查询性能优化 解决书签查找
可以看出 书签查找 没有了。

本SQL 产生书签查找的 主要原因是 本SQL 优化器会选择 非聚簇索引IX_UserName,来执生SQL 。IX_UserName 索引不包含 Gender 这个字段 于是产生个从索引到 数据表的 一个 查找 即 书签查找。
解决书签查找:

方法一、使用一个 聚簇索引

    对于聚簇索引, 索引的叶子页面和表的数据页面相同,因此,当读取聚簇索引 键列的值时,数据引擎可以读取其它列的值而不需要任何行定位,这样就解决了书签查找。
     对于这句SQL ( select UserName,Gender from dbo.UserInfo where UserName='userN600')解决了书签查找的办法就是在UserName 上 建聚簇索引 ,因为一个表只有一个聚簇索引 ,这就意味着删除现有聚簇索引(PK_UserID),将会造成其它从表 中的外键约束 要发生更改,这需要考一些相关的工作,可能严重影响依赖于现有聚簇索引的其它查询。

方法二、使用一个 覆盖索引

    覆盖索引 是在所有为满足SQL 查询不用到达基本表所需的列 建立的非聚簇索引。如果查询遇到一个索引并且完全不需要引用底层数据表,那么 该索引可以被认为是 覆盖索引。
      对于这句SQL ( select UserName,Gender from dbo.UserInfo where UserName='userN600') 解决书签查找的办法就是 在非聚簇索引IX_UserName 里包含 Gender 字段。
      也就是在 建索引时 用INCLUDE 语句,具体操作如下
SQL 查询性能优化 解决书签查找
用INCLUDE 最好在 以下情况下使用:
        1、不希望增加索引键的大小,但是仍然可以建一个 覆盖索引;
        2、打算索引一种不能被索引的数据类型(除了文本、NTEXT和图像);
        3、已经超过了一个索引的关键字列的最大数量

方法三、使用 索引连接

  索引连接 是使用多个索引之间一个索引交叉来完全覆盖一个查询。如果覆盖索引变的非常宽,那么就可以考虑索引连接。
    对于这句SQL ( select UserName,Gender from dbo.UserInfo where UserName='userN600' and Gender=1)可以在 Gender 上 建一个非聚簇索引就行了。
    对于这个例 子,可能 SQL 优化器并没有同时 选 用非聚簇索引IX_UserName 和 我们新建立在Gender 上的索引,这时我们可以告知 SQL 优化器 同时使用 这个两上索引,操作如下
      select Gender,UserName from UserInfo with(index (IX_Gender,IX_UserName)) where UserName='jins' and Gender=0

好了就写这么多吧.
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。