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中单EZ再次风靡 实力解析LOL新版EZ出装打法

从那天开始,人们又想起了一度被中单EZ支配的恐惧,以及团战可以输,EZ必须死的屈辱。如今,这位小黄毛卷土从来,手里拿着冰拳,漂亮的不像实力派。今天就再次为大家详细的解析最新的中单EZ的出装和打法。

符文天赋推荐

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中单EZ选择的符文就是传统的AD符文就可以了,值得一提的是在黄色上可以全部打上生命值的加成,因为中单对线的对手一般都是AP英雄,所以护甲在对线的时候显得就没有那么的重要了。

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雷霆领主的法令无疑是当前版本对于EZ来说最重要的一点天赋点,在前期EZ的大多数伤害都依赖于雷霆领主的法令打出,在对线的时候只要EWQ的一个连招就能打掉对手大半管血,更不要说ADEZ在进攻的时候还会附带一些平砍的伤害了。

装备推荐

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出门装备:

中单EZ再次风靡 实力解析LOL新版EZ出装打法对于中单EZ来说萃取的效果会比ADC出门选择多兰剑的效果要好很多,因为萃取不仅能够提供生命值回复的效果,还能够在补满一百刀以后返还一定的金币,这对中单EZ的发育是能够取到很大的帮助的。ADC英雄通常选择多兰剑的原因是因为下路时常会有对拼产生,需要多兰剑提供的生命值回复的效果以及攻击力加成。

中期核心:

相信大家已经看出来了,这套出装的思路完全就是依照曾经的蓝EZ所出的。与其说这个版本EZ强,倒不如说这个版本蓝EZ很强。在第一次回家的时候一定要先做出女神之泪,这样女神之泪叠加的速度将会更快,并且不用那么着急做出魔宗,因为第一级的魔宗在没叠满750升级时的效果是非常不明显的,所以可以等待女神之泪快叠满了或者已经叠满了再出魔宗。出完女神之泪以后就可以做出冰拳了,原因相信大家都已心知肚明。冰圈能够提供一个范围的减速圈,就是能够减速对手或者风筝敌人,这个在对拼中有利于EZ触发出雷霆领主的法令打出一个爆发的伤害。关于鞋子的选择CD鞋是EZ最好的鞋子,没有之一。因为EZ完全是靠技能来打输出的AD英雄,其他鞋子提供的属性远不如一点减CD来的痛快。

后期神装:

关于破败大家可以根据局势进行取舍,如果对手突进英雄比较多的话就可以考虑做出破败来,在对手突进的时候使用破败来减速对手并利用冰拳的减速效果来风筝敌人。当然如果不是这样就可以考虑做出饮血剑来增加自身的保命能力。关于破甲装的选择可以看对手的阵容有什么样类型的坦克,如果对手是类似于石头人这样有着高护甲的坦克就可以考虑做出多米尼克领主的致意,因为这件装备能够提供额外的护甲穿透,对于这样的坦克来说是致命的。当然如果是像蒙多这样有着高回复的英雄就可以做出凡性的提醒了。最后一件装备可自由选择,可以继续出输出,也可以做出防御装,看个人爱好。

打法介绍

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一般情况下,如果在前期对线的时候发现对手的阵容是偏消耗的阵容。那么这个时候在出装上就可以考虑——女神泪加小弯刀,在前期就已经足够了,千万不要急着去合成破败,小弯刀生命值的回复能力,女神泪的蓝量,完全可以保证线上不会爆炸。有打野的帮助情况下小弯刀还可以提供留人的减速,前期性价比相当不错的。

前期:

对于在前期对线的时候有小兵存在,那么最好是利用Q技能补好每个刀,让自己的发育不要落下。一旦到了6级后,如果上下两路被对手压制了就可以考虑多多使用R技能清完自己的兵线以后去对其他路进行一个游走。评判一个EZ会不会玩首先就要看其补刀多不到,补刀在正常情况下比自己家或者对手的ADC英雄多个几十刀都不算是多的,当然如果在前期打野帮抓的情况,可以先手弯刀减速。

中期:

在中期如果EZ被对手压制了的话,这个时候放弃自己家的外塔是最好的选择,如果对面团来逼你中路的二塔的话,这个时候R技能的用处就显现出来了。利用R技能来清楚塔兵,然后再和队员一起赶到去守塔。

后期:

当前版本的后期EZ是完全有拯救世界的能力的。开启魔宗+破败,破甲在手一个。一套技能如果能打到对手的输出位身上,去对手一半血丝毫不是想象的情况,大家在玩EZ的时候可以自己去亲身实践一下。另外冰拳的减速,可以让你跟好的控制敌方跟自己的距离,在血量不是太差的情况不要去过分贴近对方。我们都要知道,在当前版本EZ后期输出环境比大多数ADC都要好的,因为他的E技能在持续放Q的情况CD相当之短,在没开团前,放心的使用Q技能去尽量消耗对手的ADC吧。只要对面中了EZ2-3发Q,不交位移就别想走了,冰圈EZ的Q就跟金克丝的的W非常相似,都是强行留人的技能,所以说这个版本的EZ在后期Carry能力比其他ADC强非常多。

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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。