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LOL世纪大战 QG吊打LGD差点零封

LOL春季赛已经打响,而今天的重头戏就是花重金买了冠军韩援Marin的LGD迎战重生后Uzi加入的QG俱乐部。当然我们通过最新消息也得知Dade阿珍和前SKT的打野替补Tom也加入了QG。不得不说Newbee不愧是豪门,这样一支战队称为超级战队就毫不过分了。

LOL世纪大战 QG吊打LGD差点零封

而这一战的焦点自然是“世界第一ADC之争”了,为此官方也是下足了功夫,还设立了一个专门的投票支持帖,国产顶尖ADC小狗Uzi自然是得到了比较多的支持。Marin能否彰显出百万身价?三核韩援更强,还是狂小狗更猛?那么这场备受瞩目的比赛到底打成了什么样子呢?一起来看速报!

LOL世纪大战 QG吊打LGD差点零封

第一局

QG沿用了上赛季的阵容,Uzi并没有上场。双方第一局的BP,LGD的阵容让人意外,Marin拿出了自己成名的兰博,而GodV则拿出了要证明自己维鲁斯。另外传统的牛头小炮走下,强势蒙多打野。而QG方面巨魔卢锡安下路,上路塔姆,打野雷克塞,中单的金选手选择妖姬对抗Godv的维鲁斯。可以看出LGD的阵容偏保守,而QG的阵容则是中前期比较强势。

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双方前期接触比较频繁,但是没有爆发人头,GodV明显经历了S5之后成长不少。可惜在8分钟的时候还是GodV在中路河道蓄力不小心被挖掘机和妖姬配合击杀。随后9分钟,挖掘机游走上路,Marin被塔姆配合雷克塞击杀。

11分钟,QG辅助天灾末日巨魔再次游走中路配合妖姬击杀DodV。

12分钟Marin再次被挖掘机和塔姆配合击杀。

13分钟,Marin兰博下路又一次被击杀。此时QG凭借人头经济领先2500。

15分半,Marin兰博下路再一次被击杀,来迟一步的蒙多被妖姬反蹲配合击杀。

(Marin欢迎来到LPL....)

22分钟,QG包夹下路,PYL和Imp双双被击杀!QG人头9-0,经济领先7000。

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27分钟,QG利用1万的经济装备优势打出了一波团灭对手!随后顺势拿下大龙,基本奠定胜局!随后30分钟,带着龙Buff的QG硬上高地,随后在LGD的泉水门口发生团战,损失两颗人头的QG再次团灭 对手,最终以总人头20-2的比分,经济领先18000的情况下拿下了第一局比赛胜利!

小编点评:Swift雷克塞神游全场,不愧是有梦想的打野选手,前期的所有节奏全部由他发起,尤其是和V的塔姆多次配合击杀Marin,多次阻断了兰博的节奏,虽然最后官方MVP给到了金选手的妖姬,但是个人感觉Swift才是整盘比赛的灵魂人物。

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第二局

QG拿到了瑞兹,雷克塞,妖姬,女枪和布隆。而LGD拿到了蒙多,千珏,狐狸,EZ和巨魔。从阵容上看,QG的瑞兹发育是一个很关键的问题,当前版本瑞兹,雷克塞和女枪都是各自位置上比较强势的英雄,因此QG前期的发育很重要。而LGD拿出千珏,这一次换成了Marin的上单蒙多,这也是他去年在SKT的隐藏英雄之一。

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游戏开始4分钟,上下同时开花,下路QG打野配合击杀Imp的EZ,而LGD的千珏和Marin的蒙多击杀QG的瑞兹。8分钟,Swift雷克塞下路再次配合击杀PYL的巨魔。虽然LGD的下路组合出现了一点小问题,但是上路蒙多天肥,而QG瑞兹被抓死一次后发育受到了影响。

19分钟双方终于打破了10分钟的沉寂,金选手妖姬中路率先发难,配合布隆击杀GodV的狐狸。而随后赶来的Marin不仅没有击杀妖姬,反而是被赶来的瑞兹反杀,QG人头5-1,经济领先3000。

22分钟,红色方蓝Buff发生团战,QG双C完没输出1换3,经济领先5000。26分钟GodV被击杀,QG顺利拿下中路二塔。27分钟小龙再次发生团战,LGD虽然拿到了第三条小龙但是损失了上单和打野两条命。

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32分钟QG野区再次几乎团灭LGD,仅剩Marin一人。随后被复活的人逼退,LGD复活后选择亡命一波打大龙,但是被QG回家补满状态赶来,又是一波团灭,QG耗时35分钟取得了第二局比赛的胜利,最终拿下了这个Bo3。

小编总结:中野意识差距太大,Swift的打野两场堪称完美,而LGD的打野新秀似乎有点懵。金选手的两场妖姬只能说碾压了GodV,QG赢得漂亮,Imp毫无存在感,而Marin并没有发挥出理想效果,LGD战队需要更多的磨合。

虽然不想用“杀鸡焉用牛刀”这样的词语来形容,但是这场比赛QG没有上Uzi的情况下就发挥得如此完美,真的很难以想象之后的他们还会有怎样的表现。

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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。